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沙特科研团队研制出41层堆叠芯片,突破摩尔定律极限
沙特科研团队研制出41层堆叠芯片,突破摩尔定律极限
由 Xiaohang Li 领导的沙特阿卜杜拉国王科技大学研究团队近日研发出一种由41层半导体与绝缘层垂直堆叠的新型芯片,其电路密度较传统芯片提升约六倍,功耗大幅下降。 研究者表示,该设计通过低温工艺控制层间结构精度,使芯片可在塑料等柔性材料上制造,为可穿戴设备和柔性电子提供新方向。 该成果已发表于《自然·电子学》,被视为摩尔定律失效后芯片性能提升的新路径。
El País English
沙特科研团队研制出41层堆叠芯片,突破摩尔定律极限
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